Співробітники Нагойском університету (Японія) і Університету ім. Аалто (Фінляндія) виготовили високоякісні тонкоплівкові транзистори на вуглецевих нанотрубках.

При створенні таких пристроїв використовуються «мережі» нанотрубок, причому останні можуть мати і металеві, і напівпровідникові властивості. Кількісне співвідношення різних типів наноструктур задає параметри транзистора: при збільшенні частки металевих нанотрубок зростає рухливість носіїв заряду, але падає ставлення струмів у відкритому і закритому стані. Обидві ці характеристики важливі, і розробники давно – і поки що безуспішно – намагаються знайти зручний спосіб сортування нанотрубок, який дозволив би чітко встановлювати параметри транзистора.

Запропонована авторами відносно проста методика вирішує частину цих проблем і дає можливість виготовляти «мережі» з прямих довгих (~ 10 мкм) нанотрубок, 30% яких демонструють металеві властивості. Важливо, що нанотрубки утворюють переважно Y-образні сполуки з більш низьким, ніж у хрестоподібних, опором.

Модель транзистора і готова гнучка інтегральна схема (тут і далі ілюстрації авторів роботи).

На основі отриманих тонких плівок були виготовлені транзистори, що поєднують високу рухливість в 35 см2 • В-1 • с-1 з гідним ставленням струмів (близько 6 • 106). Ці значення перевищують показники інших тонкоплівкових транзисторів на вуглецевих нанотрубках, аморфному кремнії та органічних матеріалах і порівнянні з характеристиками транзисторів на поликристаллическом кремнії та оксиді цинку.

Нові транзистори можна розміщувати на гнучких і прозорих пластикових підкладках. В окремих експериментах вчені створили гнучкі інтегральні схеми, реалізувавши на базі нової технології кільцеві генератори і D-тригери.

Порівняння характеристик нових транзисторів з іншими тонкоплівковими пристроями.

D-тригер на вуглецевих нанотрубках.

За матеріалами: PhysOrg

Tweet

РОЗРОБКА ВЕБ-САЙТІВ, ПРОСУВАННЯ В ІНТЕРНЕТІ